[发明专利]一种用于X射线记忆成像的荧光材料有效
| 申请号： | 201110040912.8 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102161892A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 郑岩;边静宇;耿树范;史陈峰;陆红梅;张凤勤 | 申请（专利权）人： | 上海洞舟实业有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/86 | 分类号： | C09K11/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200000 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于X射线记忆成像的荧光材料，它包括基质材料硫化锌，在基质材料中加入激活剂，激活剂是铜、银、金、锰、铅中的一种或一种以上酸性化合物；激活剂的加入量为基质材料每克重量的1×10-3-1×10-5，高温加热制备，制备出的发光材料其被X射线激发后，产生记忆性长余辉发光；其涂敷在胶片、玻璃表面，放置在CCD或CMOS感光摄像器件前，并遮光密封感光摄像器件，与计算机相连后，构成X射线及时快速成像系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 射线 记忆 成像 荧光 材料 | ||
【主权项】：
一种用于X射线记忆成像的荧光材料，它包括基质材料硫化锌，在基质材料中加入激活剂，激活剂是铜、银、金、锰、铅中的一种或一种以上酸性化合物；激活剂的加入量为基质材料每克重量的1×10‑3‑1×10‑5，高温加热烧结，制备出的发光材料其被X射线激发后，产生记忆性长余辉发光。
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