[发明专利]Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201110038941.0 | 申请日： | 2011-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102127817A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 师文生;刘海龙;佘广为 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域，特别涉及Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法。将表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于NiCl2溶液中进行浸泡，取出后晾干；再将晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中，并放入管式炉的中心加热；在加热过程中，通入惰性气体作为保护气，最终在单晶硅基片上得到Si/NiSi核壳结构纳米线阵列。本发明的制备方法简单易行，所制备的Si/NiSi核壳结构纳米线阵列具有极低的电阻率，在基于Si纳米线器件领域具有巨大的潜在应用价值。 | ||
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【主权项】：
一种Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法，其特征是，该方法包括以下步骤：1)采用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列；2)将步骤1)得到的表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于NiCl2溶液中进行浸泡，取出后晾干；将晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中，再将氧化铝瓷舟放入管式炉的中心；向管式炉中通入惰性气体作为保护气体，管式炉内的压强为40～70Pa；将管式炉加热到600～750℃，并保温100～300分钟；待反应完毕，管式炉降温至室温，在单晶硅基片上得到Si/NiSi核壳结构纳米线阵列。
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