[发明专利]通过Czochralski法制造不含位错的单晶硅的方法无效
| 申请号： | 201110034999.8 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102146582A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 福田真行;福田淳;福田善友 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过Czochralski法制造不含位错的单晶硅的方法。根据本发明的方法的特征在于使用不包含平均粒径小于250μm的颗粒的硅作为熔化原料。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 czochralski 法制 造不含位错 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
通过Czochralski法制造不含位错的单晶硅的方法，其特征在于包括在熔化之前去除包含在原料硅中的平均粒径小于250μm的颗粒的精细颗粒去除步骤。
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