[发明专利]一种EMCCD特有信号的驱动系统无效

专利信息
申请号: 201110028390.X 申请日: 2011-01-26
公开(公告)号: CN102158661A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 余达;陈佳豫;文大化;周怀得;李广泽;刘金国;郭永飞 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: H04N5/372 分类号: H04N5/372;H04N5/357
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人: 南小平
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种EMCCD特有信号的驱动系统属于CCD驱动技术领域,该系统包括控制器、正可调电压器、负可调电压器、两个集成驱动器、三个隔直电路、三个直流电平嵌位电路、两个保护电阻、P型MOSFET和N型MOSFET。本发明解决了驱动信号频率高且幅度高难以实现的问题。本发明通过两互补的高速大功率MOSFET交替导通以图腾柱方式来产生高速高压的驱动信号;采用数字控制信号改变数字电位器的阻值,进而改变正负电源值,最终改变输出信号的幅度;采用直流嵌位电路控制输出信号的最低电平值。本发明可实现对输出信号幅度、相位和占空比的数字控制,输出受负载和工作频率影响极小,且易于改变输出信号的脉冲宽度和相位。
搜索关键词: 一种 emccd 特有 信号 驱动 系统
【主权项】:
一种EMCCD特有信号的驱动系统,其特征在于,该系统包括控制器、正可调电压器、负可调电压器、第一集成驱动器、第二集成驱动器、第一隔直电路、第二隔直电路、第三隔直电路、第一直流电平嵌位电路、第二直流电平嵌位电路、第三直流电平嵌位电路、第一保护电阻、第二保护电阻、P型MOSFET和N型MOSFET;所述控制器分别与正可调电压器、负可调电压器、第一集成驱动器和第二集成驱动器连接,控制器根据当前的增益要求,分别向正可调电压器和负可调电压器输出对应的数字参数值,改变内部数字电位器的阻值,从而改变输出电压,输出的电压分别作为由P型MOSFET和N型MOSFET构成的推拉MOSFET驱动电路的正电源和负电源,实现推拉MOSFET驱动电路的输出信号幅度的数字控制;所述第一集成驱动器把控制器输出的信号进行功率放大以实现对P型MOSFET的驱动;所述第二集成驱动器把控制器输出的信号进行功率放大以实现对N型MOSFET的驱动;所述第一隔直电路与第一集成驱动器连接,用于去除第一集成驱动器输出信号的直流电平;所述第二隔直电路与第二集成驱动器连接,用于去除第二集成驱动器输出信号的直流电平;所述第三隔直电路与由P型MOSFET和N型MOSFET构成的推拉MOSFET驱动电路的输出端连接,用于去除推拉MOSFET驱动电路输出信号的直流电平值;所述第一直流电平嵌位电路与P型MOSFET的栅极连接,用于对P型MOSFET的栅极输入信号进行嵌位,保证信号在正常工作范围内;所述第二直流电平嵌位电路与N型MOSFET的栅极连接,用于对N型MOSFET的栅极输入信号进行嵌位,保证信号在正常工作范围内;所述第三直流电平嵌位电路与第三隔直电路连接,用于对推拉MOSFET驱动电路输出信号进行嵌位,保证信号在正常工作范围内;所述第一保护电阻与P型MOSFET的漏极连接,用于对P型MOSFET的漏极电流进行限流;所述第二保护电阻与N型MOSFET的漏极连接,用于对N型MOSFET的漏极电流进行限流。
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