[发明专利]电位转换电路有效

专利信息
申请号: 201110006563.8 申请日: 2011-01-13
公开(公告)号: CN102075176A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 李永胜;朱光达 申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 钱大勇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种电位转换电路,使操作于第一电位区间内的输入信号转换成操作于第二电位区间内的输出信号。所采用的是一漏电流阻绝电路,以输入端耦接该输入信号且以输出端耦接该输出信号。漏电流阻绝电路包括多级P沟道晶体管以及一N沟道晶体管。每一级P沟道晶体管的源极耦接下一级P沟道晶体管的栅极。第一级P沟道晶体管的栅极耦接该输入信号。最后一级P沟道晶体管的源极耦接一电源,且漏极耦接该漏电流阻绝电路的该输出端。N沟道晶体管以栅极耦接该输入信号、源极耦接一低电平电位、且以漏极耦接该漏电流阻绝电路的输出端。
搜索关键词: 电位 转换 电路
【主权项】:
一种电位转换电路,用以将操作于一第一电位区间内的一输入信号转换成操作于一第二电位区间内的一输出信号,该电位转换电路包括:一漏电流阻绝电路,具有一输入端耦接该输入信号且具有一输出端耦接该输出信号,其中该漏电流阻绝电路包括:多级P沟道晶体管,其中每一级上述P沟道晶体管的源极耦接其下一级上述P沟道晶体管的栅极,第一级上述P沟道晶体管的栅极耦接该输入信号,最后一级上述P沟道晶体管的源极耦接一电源,且最后一级上述P沟道晶体管的漏极耦接该漏电流阻绝电路的该输出端;以及一N沟道晶体管,具有一栅极耦接该输入信号、一源极耦接一低电平电位、以及一漏极耦接该漏电流阻绝电路的该输出端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威盛电子股份有限公司,未经威盛电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110006563.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top