[发明专利]用于低温自由磁体的管形热开关有效

专利信息
申请号: 201080059744.0 申请日: 2010-12-07
公开(公告)号: CN102713465A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: R·A·阿克曼;P·A·门特乌尔 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: F25B9/10 分类号: F25B9/10;F25D19/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 舒雄文;王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 当冷却用于磁共振成像(MRI)装置中的超导磁体时,两级冷低温冷却器(42)利用第一级冷却器(52)来将工作气体(例如,氦、氢,等等)冷却至大约25K。工作气体利用对流通过导管系统移动,直到磁体(20)为大约25K。一旦磁体(20)达到25K,气流就停止,并且第二级冷却器(54)将磁体(20)进一步冷却至大约4K。
搜索关键词: 用于 低温 自由 磁体 管形热 开关
【主权项】:
一种低温冷却系统(42),所述低温冷却系统(42)促进第一与第二冷却级(52、54)之间的无源切换以冷却超导体,所述低温冷却系统(42)包括:第一级冷却器(52);第一热交换器(56),其热耦合至所述第一级冷却器(52);第二级冷却器(54);第二热交换器(70),其热耦合至所述第二级冷却器(54);下流导管(76),较稠的冷却气体通过所述下流导管(76)从所述第一热交换器(56)向下流至所述第二热交换器(70);上流导管(72),当所述第二热交换器比所述第一热交换器更暖时,较稀较暖的气体通过所述上流导管(72)从所述第一热交换器(56)向上流至所述第二热交换器(70);以及超导体,其热耦合至所述第二热交换器(70)。
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