[发明专利]借助纳米墨在塑料薄膜上制造导体结构有效
申请号: | 201080058557.0 | 申请日: | 2010-10-19 |
公开(公告)号: | CN102687601A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | A.维林 | 申请(专利权)人: | 德国捷德有限公司 |
主分类号: | H05K1/09 | 分类号: | H05K1/09;H05K1/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种制造层压材料(11)的方法,它有至少一个第一薄膜层(2)、与第一薄膜层相邻的第二薄膜层(3)以及在第一与第二薄膜层之间的至少一个导电的导体结构(5、6),其中,第一与第二薄膜层电绝缘以及可以热层压。在按本发明的方法中,将含金属纳米粒子的弥散剂按要制造的导体结构的形状涂敷在第一薄膜层(2)上,然后第一薄膜层(2)至少部分用第二薄膜层(3)覆盖,从而使由纳米粒子构成的结构至少部分被第二薄膜层(3)覆盖,以及接着,第一与第二薄膜层热层压,与此同时将金属纳米粒子烧结成导电的导体结构(5、6)。本发明的技术主题还包括一种采用按本发明的方法得到的层压材料(11)以及使用这种层压材料(11)制成的产品,例如用于扁平材料状非接触式数据载体的电子电路单元、薄膜开关元件和普通的芯片卡,它们有按本发明制成的层压材料(11)。 | ||
搜索关键词: | 借助 纳米 塑料薄膜 制造 导体 结构 | ||
【主权项】:
一种制造层压材料(11)的方法,该层压材料有至少一个第一薄膜层(2)、与第一薄膜层相邻的第二薄膜层(3)以及在第一与第二薄膜层之间的至少一个导电的导体结构(5),其中,第一与第二薄膜层电绝缘和可热层压,其特征在于下列步骤:(a)将含金属纳米粒子的弥散剂按所述至少一个导体结构(5)的形状涂敷在第一薄膜层(2)的表面上,以制成由纳米粒子构成的前驱体导体结构,(b)第一薄膜层(2)至少部分用第二薄膜层(3)覆盖成,使由纳米粒子构成的前驱体导体结构至少部分被第二薄膜层(3)覆盖,以及(c)第一与第二薄膜层(2、3)热层压并与此同时将构成前驱体导体结构的金属纳米粒子烧结成导电的导体结构(5)。
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