[发明专利]光发射装置无效
申请号: | 201080052319.9 | 申请日: | 2010-10-20 |
公开(公告)号: | CN102598861A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | S.凯泽;T.孔茨;J.穆沙韦克 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李少丹;李家麟 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明说明了一种光发射装置(100),包括至少一个第一类型的发光二极管(1);设置在第一类型的发光二极管(1)之后的转换元件(3);至少一个第二类型的发光二极管(2);用于运行第二类型的发光二极管(2)的控制电路(5)。 | ||
搜索关键词: | 发射 装置 | ||
【主权项】:
一种光发射装置(100),包括:-至少一个第一类型的发光二极管(1),其带有用于产生电磁辐射的半导体本体(11);-第一类型的发光二极管(1)之后设置的转换元件(3),其将电磁辐射的至少一部分转换为第一颜色的光(33A);-至少一个第二类型的发光二极管(2),其带有用于产生第一颜色的光(33A)的半导体本体(22);-辐射出射面(4),第一颜色的光(33A)从该辐射出射面出射;-控制电路(5),用于运行第二类型的发光二极管(2);其中-转换元件(3)包含至少一种发光转换材料(300),其设计用于发射第一颜色的光(33A);-随着第一类型的发光二极管(1)的增加的工作持续时间,由转换元件(3)发射的第一颜色的光(33A)的强度降低;-控制电路(5)根据如下测量值(700,701)的至少之一来控制第二类型的发光二极管(2):转换元件(3)发射的第一颜色的光(33A)的强度、转换元件(3)的温度、第一类型的发光二极管(1)的工作持续时间、从辐射出射面(4)出射的光的颜色位置。
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