[发明专利]低通滤波器的设计有效
| 申请号： | 201080047530.1 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102598508A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 阿雷佐乌·哈提比;阿拉·比卡思;雷纳·格特克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H11/12 | 分类号： | H03H11/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于具有高质量因子Q的低通滤波的技术。在示范性实施例中，将输入电流耦合到第一晶体管的漏极。通过电阻器R1将所述第一晶体管的所述漏极与栅极耦合在一起，且通过第一电容器C1将所述漏极耦合到参考电压。通过第二电容器C2将所述栅极耦合到参考电压。将所述栅极进一步耦合到第二晶体管的栅极，且将输出电流耦合到所述第二晶体管的漏极。在另一示范性实施例中，可耦合其它无源元件以产生奇数阶低通传递特性。可串联级联多个滤波器以合成具有任意阶的滤波器。 | ||
| 搜索关键词： | 滤波器 设计 | ||
【主权项】：
一种设备，其包含：第一晶体管，其包含漏极、栅极及源极，所述源极耦合到参考电压；第一电阻器，其耦合所述第一晶体管的所述漏极与所述栅极；第一电容器，其将所述第一晶体管的所述漏极耦合到参考电压；第二电容器，其将所述第一晶体管的所述栅极耦合到参考电压；及第二晶体管，其包含漏极、栅极及源极，所述源极耦合到参考电压，所述栅极耦合到所述第一晶体管的所述栅极。
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