[发明专利]集成电路切换器、设计结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201080035440.0 申请日: 2010-08-12
公开(公告)号: CN102471048A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: F·P·安德森;T·L·麦克德维特;A·K·斯塔珀 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 于静;张亚非
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了集成MEMS切换器、设计结构及这种切换器的制造方法。所述方法包括在切换器件(34)的侧面上形成牺牲材料(36)至少一个凸片(32a),所述切换器件嵌于所述牺牲材料中。所述方法还包括通过在所述切换器件的所述侧面上的所述至少一个凸片上形成的至少一个开口清除所述牺牲材料,以及以覆盖材料密封所述至少一个开口。
搜索关键词: 集成电路 切换 设计 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造结构的方法,包含:在切换器件的侧面上形成牺牲材料的至少一个凸片,所述切换器件嵌于所述牺牲材料中;在所述切换器件和所述至少一个凸片之上沉积盖层;通过在所述切换器件的所述侧面上的所述至少一个凸片上的所述盖层中形成的至少一个开口去除所述牺牲材料;以及以附加材料密封所述至少一个开口。
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