[发明专利]离子卤化物的中等温度再利用的方法无效
申请号: | 201080033467.6 | 申请日: | 2010-07-06 |
公开(公告)号: | CN102471058A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 安杰尔·桑贾乔;洛伦茨·莫罗;霍尔迪·佩雷斯·马里亚诺;罗凯洪;谢晓兵;阿努普·内格;马尔科·霍恩博斯特尔;戈帕拉·N·克里希南 | 申请(专利权)人: | SRI国际公司 |
主分类号: | C01B7/00 | 分类号: | C01B7/00;C01B9/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在一个实施方式中,本发明一般涉及用于在生产元素材料中再利用离子卤化物的方法。在一个实施方式中,所述方法包括:将离子卤化物、待生成元素的氧化物、低氧化物或卤氧化物中的至少一种和含水酸溶液的混合物在中等温度下反应以形成复合前体盐和盐;从复合前体盐形成前体卤化物;将前体卤化物还原成待生成的元素和离子卤化物;和使离子卤化物返回至反应步骤的混合物中。 | ||
搜索关键词: | 离子 卤化物 中等 温度 再利用 方法 | ||
【主权项】:
一种用于在生产元素材料中再利用离子卤化物的方法,所述方法包含:将离子卤化物、待生成元素的氧化物、低氧化物或卤氧化物中的至少一种和含水酸溶液的混合物在中等温度下反应以形成复合前体盐和盐;从所述复合前体盐形成前体卤化物;将所述前体卤化物还原成所述待生成元素和所述离子卤化物;以及使所述离子卤化物返回至所述反应步骤的所述混合物中。
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