[发明专利]单元意识错误模型创建和模式生成无效
| 申请号： | 201080019820.5 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102439469A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 弗里德里希·哈普克;雷内·克伦兹-巴斯;安德里亚斯·格洛沃茨;于尔根·施洛埃菲尔;彼得·维塞尔洛;迈克尔·威特基;马克·A.·卡萨布;克里斯多夫·W.·许霍尔迈尔 | 申请（专利权）人： | 明导公司 |
| 主分类号： | G01R31/3183 | 分类号： | G01R31/3183 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 单元意识错误模型直接处理基于布局的单元内部缺陷。它们通过对库单元的晶体管级网表执行模拟仿真并接着通过库视图合成来创建。单元意识错误模型可用于生成单元意识测试模式，其通常具有比常规ATPG技术所产生的缺陷覆盖更高的缺陷覆盖。单元意识错误模型还可以用于提高常规ATPG技术所产生的一组测试模式的缺陷覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 意识 错误 模型 创建 模式 生成 | ||
【主权项】：
一种单元意识错误模型生成的方法，包括：基于单元的布局数据和所述单元的晶体管级网表来确定所述单元的所关注的缺陷；对所述晶体管级网表执行模拟错误仿真，以确定来自所关注的缺陷的可探测的缺陷和所述可探测的缺陷的探测条件；基于所述探测条件来生成所述可探测的缺陷的单元意识错误模型；以及将所述单元意识错误模型存储在处理器可读介质中。
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