[发明专利]混合垂直腔激光器有效
| 申请号： | 201080016327.8 | 申请日： | 2010-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN102388513A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 郑一淑 | 申请（专利权）人： | 丹麦科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 丹麦*** | 国省代码： | 丹麦;DK |
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| 摘要： | 本发明为硅平台(3)上的光回路提供光源(2)。垂直激光腔由布置在顶部镜(4)与衬底上硅层(10)中光栅区(11)内的底部光栅镜(12)之间的增益区(101)形成。用于接受来自光栅区(11)的光的波导(18，19)在光栅区内部形成或与之连接，并且作为VCL的输出耦合器发挥作用。因此，垂直激射模(16)耦合于该硅层中所形成的面内波导的横向面内模(17，20)，并且光可以提供至例如硅中的SOI或CMOS衬底上的光子回路。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 垂直 激光器 | ||
【主权项】：
使用硅平台中的底部光栅镜在硅平台上混合垂直腔激光器(VCL)结构的方法，该方法包括：提供分层结构，该分层结构包括由III V材料形成的活性区和不作为输出耦合镜使用并且具有大于99.5％的反射率的高度反射性顶部镜；在被具有较低折射率的层支持的硅层中形成光栅区，该光栅区包含由硅层部分形成的一维(1D)或二维(2D)周期性折射率光栅以及在该硅层中形成的并且具有比该硅层的折射率低的折射率的区域；在硅层中形成波导，所述波导被设置为促进来自光栅区的光横向输出耦合于该波导；并且在光栅区上布置所述分层结构，包括在该分层结构与该光栅区之间提供折射率比该硅层的折射率低的层，从而周期性折射率光栅构成底部光栅镜，以在顶部镜和光栅区之间形成VCL腔。
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