[发明专利]发光装置有效
| 申请号： | 201080014242.6 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102365902A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 纳谷昌之;外山弥;安田英纪 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/02 | 分类号： | H05B33/02;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在电致发光装置(1)中，在不降低其耐久性的情况下实现了高效率的光发射。电致发光装置(1)包括电极(11，16)，沉积在电极(11，16)之间的多个层(12至15)，多个层(12至15)之间的发光区(14)，发光区(14)通过在电极(11，16)之间施加电场而发射光。多个层包括发光区(14)附近的金属薄膜(20)。金属薄膜(20)由发射光所致而在其表面上诱导等离子体激元共振。将表面修饰物(30)设置在金属薄膜(20)的表面的至少一个上。表面修饰物(30)包含端基，所述端基具有极性，使得金属薄膜(20)的功函变得接近紧邻金属薄膜(20)的至少一层(15)的功函。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种电致发光装置，所述电致发光装置包括：电极；多个层，所述多个层一个在另一个之上地沉积在所述电极之间；和在所述多个层之间的发光区，所述发光区通过在所述电极之间施加电场而发光，其中所述多个层包括布置在所述发光区附近的金属薄膜，所述金属薄膜在其表面上由从所述发光区发射的光所致而诱导等离子体激元共振，并且其中在所述金属薄膜的表面的至少一个上安置有表面修饰物，所述表面修饰物包含端基，所述端基具有极性，使得所述金属薄膜的功函变得接近紧邻所述金属薄膜的至少一层的功函。
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