[发明专利]热电变换器件和辐射检测器以及使用它的辐射检测方法无效

专利信息
申请号: 201080003897.3 申请日: 2010-05-27
公开(公告)号: CN102356305A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 高桥宏平;菅野勉 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G01J1/02 分类号: G01J1/02;H01L37/02
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种热电变换器件和辐射检测器以及使用它的辐射检测方法。本发明的辐射检测器(1)包括:基板(11);第一倾斜薄膜(12),其配置在基板(1)的第一主面上,具有各向异性基准结晶面,该各向异性基准结晶面相对于第一主面倾斜排列;第二倾斜薄膜(13),其配置在基板(1)的与第一主面相反的一侧的第二主面上,具有各向异性基准结晶面,该各向异性基准结晶面相对于第二主面倾斜排列;第一电极对(17、18),其配置在第一倾斜薄膜(12)上,在第一倾斜薄膜(12)的各向异性基准结晶面相对于第一主面倾斜排列的方向上相互对置;和第二电极对(18、19),其配置在第二倾斜薄膜(13)上,在第二倾斜薄膜(13)的各向异性基准结晶面相对于第二主面倾斜排列的方向上相互对置。构成第一电极对的任一方的电极和构成第二电极对的任一方的电极相互电连接,第一倾斜薄膜(12)和第二倾斜薄膜(13)形成各向异性基准结晶面沿单一的方向倾斜的串联连接。
搜索关键词: 热电 变换 器件 辐射 检测器 以及 使用 检测 方法
【主权项】:
一种热电变换器件,其特征在于,包括:基板;第一倾斜薄膜,其配置在所述基板的第一主面上,具有各向异性基准结晶面,该各向异性基准结晶面相对于所述第一主面倾斜排列;和第二倾斜薄膜,其配置在所述基板的与所述第一主面相反的一侧的第二主面上,具有各向异性基准结晶面,该各向异性基准结晶面相对于所述第二主面倾斜排列。
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