[实用新型]一种新型ESD保护电路无效
| 申请号： | 201020693844.6 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN201887449U | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赵明付;彭凤雄 | 申请（专利权）人： | 惠州市正源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 任海燕 |
| 地址： | 516023 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种新型ESD保护电路，包括两列由二极管依次串联组成的二极管串，两列二极管串互为反相并联并通过电阻接地，另有晶体管T1和T2 ，其栅极分别通过电阻接二极管串一并联端，晶体管T1源极接T2 漏极，晶体管T1漏极接二极管串另一并联端，晶体管T2源极通过电容接地；所述晶体管T1漏极和栅极之间接有前馈电容C3，晶体管T2 栅极与漏极之间接有后馈电容C2；所述晶体管T1源极和漏极之间接有平衡电阻R5，晶体管T2 源极和漏极之间接有平衡电阻R6。该电路集成于射频芯片内部，可降低寄生影响，对耗尽型pHEMT或MOS芯片内部射频信号的影响小，适用范围更广，具有良好的隔离效果和过功率能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种新型ESD保护电路，包括两列由二极管依次串联组成的二极管串，两列二极管串互为反相并联后通过电阻接地，其特征在于：还包括晶体管T1和T2，所述晶体管T1和T2 栅极分别通过电阻接二极管串一并联端，晶体管T1 源极接T2 漏极，晶体管T1漏极接二极管串另一并联端，晶体管T2 源极通过电容接地。
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