[实用新型]刻蚀机台的晶圆承载腔室无效
申请号: | 201020645475.3 | 申请日: | 2010-12-07 |
公开(公告)号: | CN201883148U | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 潘敬桢;杨利 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | C23F1/08 | 分类号: | C23F1/08;C23F1/12 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 张骥 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种刻蚀机台的晶圆承载腔室,包括承载腔室,所述承载腔室的外壁加装有加热带,所述加热带具有温控作用。所述加热带的温度设定为50℃。本实用新型在晶圆承载腔室的外壁加装有加热带,能够保持晶圆承载腔室的内腔高温干燥,避免溴化氢在常温常湿的条件下腐蚀腔室的内壁,从而减少缺陷的产生。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 机台 承载 | ||
【主权项】:
一种刻蚀机台的晶圆承载腔室,包括承载腔室,其特征在于:所述承载腔室的外壁加装有加热带,所述加热带具有温控作用。
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