[实用新型]一种等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201020636345.3 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN201904966U | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 王俊;黄智林;蔡珑元;解延风 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201201 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置，包含设置有充放电设备的反应腔；反应腔顶部引入有反应气体。通过在上电极或下电极上施加60MHz或以上的高频射频电压，将对应电极接地后产生高频放电；或是通过顶部的线圈上施加60MHz或以上的高频射频电压，对引入的反应气体电离产生其等离子体，来对硅片进行制绒处理。相比现有技术多利用低频制绒，在适当压力下，本实用新型通过60MHz或以上的高频射频电压进行硅片表面的制绒，使形成的等离子体鞘层的厚度变小、直流自偏压降低，因而减小了等离子体轰击硅片的能量，因而较大改善了轰击硅片表面过程中硅原子晶格破坏的程度，从而有效减小了硅片表面的损伤，因而能够有效提高制成的太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，包含一设置有充放电设备的反应腔（10）；所述反应腔（10）引入的反应气体，通过所述充放电设备电离后，产生等离子体对放置在反应腔（10）内的硅片（30）制绒；所述充放电设备上施加的射频频率为60MHz或以上。
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