[实用新型]隧道磁电阻效应磁性编码器有效

专利信息
申请号: 201020518723.8 申请日: 2010-09-07
公开(公告)号: CN201748928U 公开(公告)日: 2011-02-16
发明(设计)人: 王建国;薛松生 申请(专利权)人: 王建国;薛松生
主分类号: G01D5/243 分类号: G01D5/243
代理公司: 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人: 任益
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了两种隧道磁电阻效应磁性编码器,一种包括一个磁块,一个磁性敏感元件,两个运算放大器,一个数字信号处理芯片,以及输出显示模块,磁性敏感元件采用TMR双轴磁场芯片,TMR双轴磁场芯片位于磁块的下方;两个运算放大器、数字信号处理芯片、输出显示模块位于一个PCB电路板上,PCB电路板位于磁块和TMR双轴磁场芯片的外部。另一种包括一个磁鼓,磁鼓边缘上有磁栅,一个磁性敏感元件,以及一个信号放大整形模块、一个计数模块、一个计算处理模块、一个显示模块,磁性敏感元件采用TMR半桥芯片,TMR半桥芯片位于磁鼓的边缘,并与磁栅之间间隔1-5mm的距离;信号放大整形模块、计数模块、计算处理模块位于一个PCB电路板上,PCB电路板位于磁鼓和TMR半桥芯片的外部。由于采用TMR材料制作的TMR芯片作为磁性敏感元件,其灵敏度高,温度稳定性好,信噪比高,抗噪声性能好。
搜索关键词: 隧道 磁电 效应 磁性 编码器
【主权项】:
一种隧道磁电阻效应磁性编码器,包括一个磁块(11),一个磁性敏感元件,两个运算放大器(17),一个数字信号处理芯片(18),以及输出显示模块(19),其特征在于:所述磁性敏感元件采用TMR双轴磁场芯片(15),TMR双轴磁场芯片(15)位于磁块(11)的下方;两个运算放大器(17)、数字信号处理芯片(18)、输出显示模块(19)位于一个PCB电路板(16)上,PCB电路板(16)位于磁块(11)和TMR双轴磁场芯片(15)的外部。
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