[发明专利]一种单晶硅清洗液及预清洗工艺无效
申请号: | 201010618904.2 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102154711A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 陆海斌;石劲超 | 申请(专利权)人: | 百力达太阳能股份有限公司 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;H01L31/18 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹 |
地址: | 314512 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种单晶硅清洗液及预清洗工艺。所述的单晶硅清洗液,其特征在于,由强碱、过氧化氢和水组成。所述的单晶硅预清洗工艺,其特征在于,具体步骤为:按比例将氢氧化钠、过氧化氢和水混合配制成单晶硅清洗液,加热到60~80℃;将原始硅片放入单晶硅清洗液中清洗。本发明的优点是:不仅可以达到较好的清洗效果,而且具有较好的稳定性、不易挥发,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 清洗 工艺 | ||
【主权项】:
一种单晶硅清洗液,其特征在于,由强碱、过氧化氢和水组成。
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