[发明专利]一种厚膜光刻胶清洗液有效
| 申请号： | 201010604011.2 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102566331A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;孙广胜;王胜利 | 申请（专利权）人： | 安集微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用与较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有：氢氧化钾、常用溶剂、季戊四醇、醇胺、间苯二酚、含颜料亲和基团的聚合物。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于铜(Cu)和铝(Al)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 清洗 | ||
【主权项】：
一种用于厚膜光刻胶的清洗液，包含：氢氧化钾、溶剂、季戊四醇、醇胺、间苯二酚、含颜料亲和基团的聚合物。
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