[发明专利]基于查找表算法的菱形冗余填充寄生电容提取方法

摘要

本发明公开了一种基于查找表算法的菱形冗余填充寄生电容提取方法，它属于微电子技术领域，主要解决现有提取工具处理速度慢和简化模型计算精度低的问题。其实现步骤是：首先提出四个能够完全描述菱形冗余金属填充模式的参数；基于该组参数，建立与菱形冗余金属填充模式寄生电容相关的四维查找表；利用该查找表，通过查表和插值计算两步，快速而准确的提取出特定菱形冗余金属填充实例的寄生电容。本发明具有应用范围广，计算速度快的优点，可用于集成电路设计过程中的寄生参数提取和芯片性能优化。

主权项

1.一种基于查找表算法的菱形冗余填充寄生电容提取方法，包括如下步骤：(1)将缓冲距离BS，填充宽度W，填充块边长L，填充块间距D四个关键参数作为完全描述菱形冗余填充模式的参数组；(2)建立以上述四个参数为输入的四维查找表：2a)将填充宽度W、缓冲距离BS、填充块边长H以及填充块间距D这4个参数构成的4维参数空间，按照集成电路制造工艺节点和结果精度所要求的采样间隔划分成栅格，并对栅格编号；2b)对每个栅格点，利用电容提取工具获得其对应的寄生电容值；2c)依照栅格编号顺序将栅格点对应的电容值和参数组分别存入数组中，形成查找表；(3)根据查找表使用插值方法计算寄生电容值：3a)对于任意一输入向量(w₀，b₀，h₀，d₀)分别将其坐标元素对采样间隔取整得到向量：其中(w，b，h，d)表示参数空间坐标值，k、l、m、n分别表示w、b、h、d的采样间隔；3b)对于任一栅格，设其16个格点分别为：c(w，b，h，d)、c(w+k，b，h，d)、c(w，b+l，h，d)、c(w，b，h+m，d)、c(w，b，h，d+n)、c(w+k，b+l，h，d)、c(w+k，b，h+m，d)、c(w+k，b，h，d+n)、c(w，b+l，h+m，d)、c(w，b+l，h，d+n)、c(w，b，h+m，d+n)、c(w+k，b+l，h+m，d)、c(w，b+l，h+m，d+n)、c(w+k，b，h+m，d+n)、c(w+k，b+l，h，d+n)、c(w+k，b+l，h+m，d+n)，从16个格点中固定选取格点：c(w，b，h，d)作为栅格标志点；3c)计算输入点对应的栅格标志点坐标为(r·k，t·l，s·m，u·n)，根据采样间隔计算其余15个栅格点的坐标，即可查找到输入向量对应的栅格；3d)设输入向量为(w₀，b₀，h₀，d₀)，其所对应栅格的栅格点为A_i，栅格点对应的电容空间的容值分别为C_i，其中i＝0，1…15；W、B、H、D四条坐标轴的采样间隔分别为k、l、m、n，将输入向量(w₀，b₀，h₀，d₀)的坐标元素分别对其坐标轴的采样间隔取余得到中间向量(w′，b′，h′，d′)；3e)输入点将其所对应的栅格分为16个4维区域，每个区域包含一个该栅格的格点，计算各格点所在区域的体积V_i，其中i＝0，1…15，应用体积插值法求得单位长度寄生电容值：其中C_i为格点电容，V＝k·l·m·n为栅格的总体积；3f)将单位长度寄生电容值与互连线长度L相乘得到输出寄生电容值C_out＝C_p·L。