[发明专利]一种两段焙烧法制备亚微米级氧化铝的方法无效
申请号: | 201010587681.8 | 申请日: | 2010-12-15 |
公开(公告)号: | CN102009993A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 王锦;王建立;仓向辉;张明惠 | 申请(专利权)人: | 中国铝业股份有限公司 |
主分类号: | C01F7/30 | 分类号: | C01F7/30 |
代理公司: | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人: | 李迎春;李子健 |
地址: | 100082 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种两段焙烧法制备亚微米级氧化铝的方法,涉及一种用于、电、医疗和信息等领域的重要的结构和功能材料亚微米级氧化铝的方法。其特征在于以工业氢氧化铝为原料,在充氮气保护下于400℃到900℃之间进行流态化一段焙烧,得到活性氧化铝,然后进行有机酸洗,过滤烘干后加入添加剂,使其颗粒分散均匀、抑制氧化铝晶粒在高温下生长,并使其纯化;混合均匀后,在1100℃到1400℃之间进行第两段煅烧,最终得到亚微米级尺寸的氧化铝粉体。本发明的方法制备的亚微米级氧化铝粉末颗粒均匀,平均粒径≤0.9μm,而且纯度高,具有良好的分散性。叙述的制备方法简单,成本低廉,重复性好,易于实现工业化。 | ||
搜索关键词: | 一种 焙烧 法制 微米 氧化铝 方法 | ||
【主权项】:
一种两段焙烧法制备亚微米级氧化铝的方法,其特征在于以工业氢氧化铝为原料,在氮气保护下于400℃‑900℃温度下进行流态化一段焙烧,得到活性氧化铝,然后进行有机酸洗,过滤烘干后加入添加剂,使其颗粒分散均匀、抑制氧化铝晶粒在高温下生长,并使其纯化;混合均匀后,在1100℃‑1400℃温度下进行第二段煅烧,最终得到亚微米级尺寸的氧化铝粉体。
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