[发明专利]套刻测试方法无效
| 申请号： | 201010578127.3 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102540734A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 黄玮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种套刻测试方法，其中，包括以下步骤：第一步、利用光刻机的对位系统收集对位标记的一阶信号和高阶信号得到标记位置的差值；第二步、测量套刻标记光刻后和刻蚀后的差值，并根据所述两种差值计算出一一对应的曲线；第三步、根据对位标记一阶信号和高阶信号得到的位置差异，从对应曲线得到套刻测量的偏移值；第四步、计算得到光刻套刻测量值。与现有技术相比，本发明的有益效果是：获得光刻后准确的套刻测量值，且不增加额外的光刻层次，也不必做先行片到刻蚀测量套刻，同时能有效在光刻后确认套刻，避免超规范的批次流到下一工序。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种套刻测试方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、利用光刻机的对位系统收集对位标记的一阶信号和高阶信号得到标记位置的差值；第二步、测量套刻标记光刻后和刻蚀后的差值，并根据所述两种差值计算出一一对应的曲线；第三步、根据对位标记一阶信号和高阶信号得到的位置差异，从对应曲线得到套刻测量的偏移值；第四步、计算得到光刻套刻测量值。
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