[发明专利]应用于锗硅工艺中多电源间的静电保护结构有效
| 申请号： | 201010576693.0 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102545180A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 高翔;王邦麟;徐向明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02;H02H9/04;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于锗硅工艺中多电源间的静电保护结构，包括并联的两个支路，每个支路为一个基本电路结构或多个串联的基本电路结构。所述基本电路结构包括一个HBT、连接在该HBT的基极和集电极之间的一个电容、连接在该HBT的基极和发射极之间的一个电阻；该HBT的集电极和发射极分别作为所述基本电路结构的两端。所述并联的两个支路的两端分别连接两个电源。本发明可以集成在现有的简化锗硅工艺之中，并且具有较高的静电泻放能力，有利于缩小版图面积。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 工艺 电源 静电 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于锗硅工艺中多电源间的静电保护结构，其特征是，包括并联的两个支路，每个支路为一个基本电路结构或多个串联的基本电路结构；所述基本电路结构包括一个HBT(异质结双极晶体管)、连接在该HBT的基极和集电极之间的一个电容、连接在该HBT的基极和发射极之间的一个电阻；该HBT的集电极和发射极分别作为所述基本电路结构的两端；所述并联的两个支路的两端分别连接两个电源。
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