[发明专利]一种高性能多层薄膜结构声表面波器件的制备方法

摘要

一种高性能多层薄膜结构声表面波器件的制备方法，其衬底为化学汽相沉积CVD金刚石薄膜，在CVD金刚石薄膜衬底表面形成有一层六方氮化硼h-BN薄膜，该薄膜采用真空溅射法沉积，其衬底为镜面抛光硅衬底，晶面指数为100，真空溅射室的本底真空度为5×10-4Pa，溅射所用靶材是纯度为99.99％的热压h-BN，其中所述纯度为99.99％的热压h-BN的制备步骤是：先沉积富B的氮化硼底层，然后衬底负偏压值由0变为-100V，最后在保持工艺条件不变延续溅射沉积时间为80分钟。本发明的优点是：与现有技术相比，该制备方法所用设备简单、工艺条件方便易行，有利于大规模的推广应用，具有重大的生产实践意义。

主权项

一种高性能多层薄膜结构声表面波器件的制备方法，该高性能多层薄膜结构声表面波器件，其衬底为化学汽相沉积CVD金刚石薄膜，在CVD金刚石薄膜衬底表面形成有一层六方氮化硼h‑BN薄膜，所述CVD金刚石薄膜的晶粒线度为150～200nm、薄膜厚度为25～30μm，所述h‑BN薄膜的晶粒线度为30～60nm、薄膜厚度为0.5～0.7μm，其制备方法按现有技术，包括以下步骤：1)对化学汽相沉积CVD金刚石薄膜的表面进行抛光并形成镜面，2)对上述镜面抛光的CVD金刚石薄膜表面进行等离子体处理，形成以氢终止且镜面抛光的CVD金刚石薄膜表面，3)在真空溅射室里，以h‑BN作为靶材，对上述CVD金刚石薄膜表面进行真空磁控溅射并沉积形成一层h‑BN薄膜，其特征在于：所述真空溅射法沉积h‑BN薄膜，其衬底为镜面抛光硅衬底，晶面指数为100，真空溅射室的本底真空度为5×10‑4Pa，溅射所用靶材是纯度为99.99％的热压h‑BN。