[发明专利]切换式电源供应器的高压启动装置无效
申请号: | 201010570422.4 | 申请日: | 2010-12-02 |
公开(公告)号: | CN102044957A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 周保助 | 申请(专利权)人: | 矽创电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 张爱群 |
地址: | 中国台湾台北市114*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种切换式电源供应器的高压启动装置包含一高压启动电路,其包含:一金属氧化半导体电晶体、一电压调整单元及一电晶体。将一电源电流输入至该金属氧化半导体电晶体。该电压调整单元连接该金属氧化半导体电晶体,以便该电压调整单元调整该金属氧化半导体电晶体的电压。该电晶体连接至该金属氧化半导体电晶体的闸极。当该金属氧化半导体电晶体的闸极形成导通时,一充电电流流经该金属氧化半导体电晶体及二极管,并对一电容进行充电。当充电该电容至一预定电压时,控制导通该电晶体,以便关闭该金属氧化半导体电晶体,并截止该充电电流。 | ||
搜索关键词: | 切换 电源 供应 高压 启动 装置 | ||
【主权项】:
一种切换式电源供应器的高压启动装置,其特征在于:包含一高压启动电路,连接一电源电路,且该电源电路包含一电容;所述高压启动电路包含:一金属氧化半导体电晶体,设置于所述高压启动电路,将一电源电流输入至所述金属氧化半导体电晶体,且该金属氧化半导体电晶体具有一源极、一射极及一闸极;一电压调整单元,设置于所述高压启动电路,所述电压调整单元连接所述金属氧化半导体电晶体,以便该电压调整单元调整该金属氧化半导体电晶体的电压;一电晶体,设置于所述高压启动电路,所述电晶体连接至所述金属氧化半导体电晶体的闸极;其中,当该金属氧化半导体电晶体的闸极形成导通时,一充电电流流经该金属氧化半导体电晶体及二极管,并进行充电该电容;当充电该电容至一预定电压时,控制导通该电晶体,以便关闭该金属氧化半导体电晶体,并截止该充电电流。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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