[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备有效
| 申请号： | 201010568496.4 | 申请日： | 2010-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102081314A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 秋山和敬;小泽智仁;田泽大介;西村悠 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/08 | 分类号： | G03G5/08;G03G15/00;G03G15/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本东京都大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供电子照相感光构件及配置其的电子照相设备，该电子照相感光构件包括：光导电层，在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅构成的中间层，以及在所述中间层上由氢化非晶碳化硅构成的表面层，其中表面层中的比(C/(Si+C)；C2)为0.61至0.75，硅与碳的原子密度的和为6.60×1022原子/cm3以上，中间层中的比(C/(Si+C)；C1)以及硅与碳的原子密度的和(D1)分别从光导电层向表面层连续增加而不超过C2和D2，中间层具有其中C1为0.25至C2同时D1为5.50×1022原子/cm3至6.45×1022原子/cm3的连续区域，所述区域沿层厚度方向为150nm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 照相 感光 构件 设备 | ||
【主权项】：
一种电子照相感光构件，其包含：光导电层，在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅构成的中间层，和在所述中间层上由氢化非晶碳化硅构成的表面层，其中在所述表面层中，碳原子数(C)与硅原子数(Si)和碳原子数(C)的和的比(C/(Si+C)；C2)为0.61以上至0.75以下，硅原子的原子密度与碳原子的原子密度的和(D2)为6.60×1022原子/cm3以上；在所述中间层中，碳原子数(C)与硅原子数(Si)和碳原子数(C)的和的比(C/(Si+C)；C1)以及硅原子的原子密度与碳原子的原子密度的和(D1)分别从所述光导电层侧向所述表面层侧连续增加而不超过C2和D2；和所述中间层具有其中C1为0.25以上至C2以下同时D1为5.50×1022原子/cm3以上至6.45×1022原子/cm3以下的区域，所述区域沿所述中间层的层厚度方向为150nm以上。
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