[发明专利]基于锗硅工艺平台的静电保护结构有效
| 申请号： | 201010568044.6 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102487194A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王邦麟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02;H02H9/04;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于锗硅工艺平台的静电保护结构，在地电位和输入输出端口之间具有第一HBT，该第一HBT的基极通过一个反向的二极管接地电位，集电极接地电位，发射极通过一个或多个正向串联的二极管接输入输出端口；在输入输出端口和电源电位之间具有第二HBT，该第二HBT的基极通过一个反向的二极管接输入输出端口，集电极接输入输出端口，发射极通过一个或多个正向串联的二极管接电源电位。本发明基于锗硅工艺平台的静电保护结构可起到良好的静电保护效果，并具有较小的整体电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 工艺 平台 静电 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种基于锗硅工艺平台的静电保护结构，其特征是，所述静电保护结构为：在地电位和输入输出端口之间具有第一HBT(异质结双极型晶体管)，该第一HBT的基极通过一个反向的二极管接地电位，集电极接地电位，发射极通过一个或多个正向串联的二极管接输入输出端口；在输入输出端口和电源电位之间具有第二HBT，该第二HBT的基极通过一个反向的二极管接输入输出端口，集电极接输入输出端口，发射极通过一个或多个正向串联的二极管接电源电位。
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