[发明专利]电子发射体及电子发射元件有效
| 申请号： | 201010563926.3 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102024635A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J1/312 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子发射体，所述电子发射体为一碳纳米管复合线状结构，所述碳纳米管复合线状结构包括一导电线状结构及一碳纳米管层设置在所述导电线状结构的表面，所述碳纳米管层环绕所述导电线状结构形成一碳纳米管管状结构，在所述碳纳米管复合线状结构的一端，所述碳纳米管管状结构延伸出多个电子发射尖端。本发明还涉及一种电子发射元件，包括：一导电基体；以及一上述的电子发射体，所述电子发射体与所述导电基体电连接，所述电子发射体具有多个电子发射尖端的一端沿远离所述导电基体的方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 元件 | ||
【主权项】：
一种电子发射体，其特征在于，所述电子发射体为一碳纳米管复合线状结构，所述碳纳米管复合线状结构包括一导电线状结构及一碳纳米管层设置在所述导电线状结构的表面，所述碳纳米管层环绕所述导电线状结构形成一碳纳米管管状结构，在所述碳纳米管复合线状结构的一端，所述碳纳米管管状结构延伸出多个电子发射尖端。
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