[发明专利]像素阵列有效

专利信息
申请号: 201010551290.0 申请日: 2009-08-10
公开(公告)号: CN101996563A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 郭峻廷;李国贤 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 任默闻
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种像素阵列,所述像素阵列包括多条扫描线、多条数据线以及多个像素。排列于第n列的各像素包括第一子像素、第二子像素与第三子像素。第一子像素中第一晶体管的第一栅极以及第一漏极分别与第n-1条扫描线以及第一像素电极连接。第二子像素中第二晶体管的第二栅极与第n条扫描线连接,第二漏极与第二像素电极以及第一晶体管的第一源极连接。第三子像素中第三晶体管的第三栅极与第n+1条扫描线连接,第三漏极与第三像素电极以及第二晶体管的第二源极连接,第三晶体管的第三源极与其中一条数据线连接;各扫描线沿着列方向曲折延伸,且各扫描线包括:多条第三导线,沿着列方向延伸;以及多条第四导线,沿着行方向延伸,其中这些第三导线与这些第四导线交替地连接。
搜索关键词: 像素 阵列
【主权项】:
一种像素阵列,其特征在于,所述像素阵列包括:多条扫描线;多条数据线,与所述这些扫描线相交;多个像素,与所述这些扫描线以及所述这些数据线连接,排列于第n列中的各所述像素包括:一第一子像素,包括一第一晶体管与一第一像素电极,其中所述第一晶体管的一第一栅极与第n‑1条扫描线连接,而所述第一晶体管的一第一漏极与所述第一像素电极连接;一第二子像素,包括一第二晶体管与一第二像素电极,其中所述第二晶体管的一第二栅极与第n条扫描线连接,而所述第二晶体管的一第二漏极与所述第二像素电极以及所述第一晶体管的一第一源极连接;以及一第三子像素,包括一第三晶体管与一第三像素电极,其中所述第三晶体管的一第三栅极与第n+1条扫描线连接,而所述第三晶体管的一第三漏极与所述第三像素电极以及所述第二晶体管的一第二源极连接,且所述第三晶体管的一第三源极与其中一条数据线连接;各所述扫描线沿着列方向曲折延伸,且各所述扫描线包括:多条第三导线,沿着所述列方向延伸;以及多条第四导线,沿着所述行方向延伸,其中所述这些第三导线与所述这些第四导线交替地连接。
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