[发明专利]基于硫醇-烯的连续浮雕微光学元件高精度紫外压印方法有效
| 申请号： | 201010533159.1 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102053489A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 金鹏;刘楠;王冠雄;谭久彬 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/027;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基于硫醇-烯的连续浮雕微光学元件高精度紫外压印方法属于微光学元件制造领域。在传统连续浮雕结构微光学元件紫外压印工艺中，使用硫醇-烯类紫外光引发高分子材料作为抗蚀剂使用，通过调节压印压力、控制残胶层厚度的方法使抗蚀剂固化产生的收缩应力通过流体流动的方式得以弛豫，使连续浮雕结构微光学元件的收缩误差降低至3％以下，残胶层厚度为500-1000nm。该方法具有复制收缩误差小、刻蚀选择性优良等特点，可实现连续浮雕结构微光学元件向石英玻璃基底的图形传递。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硫醇 连续 浮雕 微光 元件 高精度 紫外 压印 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硫醇‑烯的连续浮雕微光学元件高精度紫外压印方法，在传统连续浮雕结构微光学元件紫外压印工艺中，使用硫醇‑烯类紫外光引发高分子材料作为抗蚀剂使用，其特征在于通过调节压印压力、控制残胶层厚度的方法使抗蚀剂固化产生的收缩应力通过流体流动的方式得以弛豫，使连续浮雕结构微光学元件的收缩误差降低至3％以下，残胶层厚度为500‑1000nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010533159.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
