[发明专利]一种去除温漂的红外非均匀性校正方法无效
| 申请号: | 201010514957.X | 申请日: | 2010-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN102042878A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
| 发明(设计)人: | 刘子骥;蒋亚东;王然;姜宇鹏;袁凯 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | G01J5/02 | 分类号: | G01J5/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种去除温漂的红外非均匀性校正方法,该方法先求两点校正算法的校正增益和校正偏置,再求一点校正算法的校正偏置,求取一点校正算法的偏置参数时的图像数据来自前面求得的两点校正之后的数据。该方法具有成本低,校正动态范围大,效果好,原理简单的优点,以及在硬件方面很容易实现,效率高,准确等特点,适合应用于焦平面成像系统中。这种技术对红外焦平面的均匀性是一种技术上的提升。对促进红外焦平面成像系统的优良性能有了很大的帮助。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 去除 红外 均匀 校正 方法 | ||
【主权项】:
1.一种去除温漂的红外非均匀性校正方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤101,开始;步骤102,读取低温图像,即是当黑体的温度为T1在温度T1下,阵列平均响应电压为:U 1 ‾ = Σ i = 1 M Σ j = 1 N U 1 ( i , j ) M × N ]]> 读取高温图像,即是当黑体的温度为T2在温度T2下,阵列平均响应电压为:U 2 ‾ = Σ i = 1 M Σ j = 1 N U 2 ( i , j ) M × N ]]> M,N为正整数,分别表示面阵光敏元的行数和列数,(i,j)表示第(i,j)光敏元;步骤103,计算各像素校正系数对每个像元而言,有两个校正参数,分别为Gij为校正增益和Oij为校正偏置:G ij = U 2 ‾ - U 1 ‾ U 2 ( i , j ) - U 1 ( i , j ) ]]>O ij = U 1 ‾ - G ij × U 1 ( i , j ) ; ]]> 步骤104,生成校正参数表,把两个参数分别放在两块flash中,并按照像元号数的递增依次存放,当校正程序运行时顺序读出增益和偏移因子;步骤105,是否有温漂,没有温漂则进行步骤107,有温漂选择步骤108;步骤106,读取待校正的图像;步骤107,利用步骤104的参数对原始图像进行两点校正法;步骤108,选取辐照度φM作为定标点;步骤109,对选取的定标点做两点校正,利用步骤104的参数及公式V′ij(φM)=Gij×Vij(φM)+Oij,得出校正后输出,对面阵所有光敏元求平均值:
根据一点校正法,得校正偏移为,
继而得到两点加一点校正偏置Oij′=Oij-Oij(φM);步骤110,对步骤106的图像,根据公式V′ij=Gij×Vij+Oij′计算校正结果,生成校正后图像;步骤111,完成实时校正。
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