[发明专利]RFID标签模拟前端电路的ASK解调器有效
| 申请号： | 201010503988.5 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102446286A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 杜涛;朱红卫;彭敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RFID标签模拟前端电路的ASK解调器，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第一电容；第一NMOS管、第三PMOS管的栅极接RFID标签的天线；第二NMOS管的栅极接解调使能信号，源极接所述第一NMOS管的漏极；第三PMOS管的源极接RFID标签工作电源，漏极接所述第二NMOS管的漏极、所述第一电容的一端，并作为解调波形输出端；第一NMOS管的源极及所述第一电容的另一端接地。本发明的RFID标签模拟前端电路的ASK解调器，电路简单，成本较低，解调信号不易受噪声的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | rfid 标签 模拟 前端 电路 ask 解调器 | ||
【主权项】：
一种RFID标签模拟前端电路的ASK解调器，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第一电容；所述第一NMOS管、第三PMOS管的栅极接RFID标签的天线；所述第二NMOS管的栅极接解调使能信号，源极接所述第一NMOS管的漏极；所述第三PMOS管的源极接RFID标签工作电源，漏极接所述第二NMOS管的漏极、所述第一电容的一端，并作为解调波形输出端；所述第一NMOS管的源极及所述第一电容的另一端接地。
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