[发明专利]纳米块状基多孔三氧化钨薄膜电极的制备方法以及三氧化钨薄膜电极有效
申请号: | 201010296748.2 | 申请日: | 2010-09-27 |
公开(公告)号: | CN102418116B | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 沈晓彦;赵伟;段晓菲 | 申请(专利权)人: | 新奥科技发展有限公司 |
主分类号: | C25B11/03 | 分类号: | C25B11/03;C25B11/06;C25D11/26 |
代理公司: | 北京工信联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11266 | 代理人: | 姜丽辉 |
地址: | 065001 河北省廊坊市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供一种纳米块状基多孔三氧化钨薄膜电极的制备方法以及由该方法获得的纳米块状基多孔三氧化钨薄膜电极。所述方法包括:第一步,采用变电压方式进行电解过程,在该电解过程中保持电流在0.1A‑0.5A的范围内;和第二步,烧结过程。通过采用变电压方式进行电解过程,使得本发明的方法与现有技术的恒电压或恒电流法相比,所得钨片表面的三氧化钨薄膜形成致密的孔状结构,并覆盖均匀的纳米三氧化钨块状颗粒,因而作为催化剂时,具有更大的比表面积,光电性能更好。 | ||
搜索关键词: | 纳米 块状 基多 氧化钨 薄膜 电极 制备 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种制备三氧化钨薄膜电极的方法,所述方法包括:第一步,采用变电压方式进行电解过程,在该电解过程中保持电流在0.1A‑0.5A的范围内;所述电解过程包括:将具有合适表面尺寸的钨片清洗干净,并且用作阳极氧化的阳极,将选自钨片、碳或碳载铂片、铂片中的一种作为阴极,使所述阳极和阴极平行放置在阳极氧化池中,两者之间的距离为2‑10cm;将装有电解质的所述阳极氧化池置入恒温器中,开启加热使油浴温度升至30‑80℃;以变电压的方式在所述阴极和阳极之间施加电压,初始施加电压为80V‑100V,逐渐降低电压到结束电压20‑40V,该过程保持电流在0.1‑0.5A范围内,反应时间为2‑5h;和第二步,烧结过程。
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