[发明专利]二氧化锰-氧化银复合氧化物纳米线及其采用单壁碳纳米管为模板的制备方法有效
| 申请号： | 201010291230.X | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101966976A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 朱俊武;汪信;陈胜;刘孝恒;杨绪杰;陆路德;韩巧凤 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 唐代盛 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化锰-氧化银复合氧化物纳米线及其采用单壁碳纳米管为模板的制备方法，包括以下步骤：将单壁碳纳米管分散于N-甲基吡咯烷酮中，然后进行超声处理；将所得混合物进行离心，弃底部残留固体，取其上层的混合液；将AgNO3溶解于水中，形成AgNO3水溶液；将AgNO3溶液加入步骤二混合液中，搅拌反应；KMnO4溶解于水中，形成KMnO4水溶液；将KMnO4溶液加入步骤四混合液中，搅拌反应；离心、洗涤、干燥、研磨即得二氧化锰-氧化银复合氧化物纳米线材料。本发明是一种操作简单的软化学方法，在温和条件下可制备具有优异电化学性能的二氧化锰-氧化银复合氧化物纳米线材料。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化锰 氧化银 复合 氧化物 纳米 及其 采用 单壁碳 模板 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化锰‑氧化银复合氧化物纳米线，其特征在于由以下步骤制备而得：步骤1：将单壁碳纳米管分散于N‑甲基吡咯烷酮中，然后进行超声处理；步骤2：将步骤1中超声处理后所得混合物进行离心，弃底部残留固体，取其上层的混合液，即单壁碳纳米管分散于N‑甲基吡咯烷酮中形成的悬浮液；步骤3：将AgNO3溶解于水中，形成AgNO3水溶液；步骤4：将步骤3中AgNO3溶液加入步骤2的混合液中，搅拌反应得到Ag2O负载在单壁碳纳米管上的复合物；步骤5：KMnO4溶解于水中；形成KMnO4水溶液；步骤6：将步骤5中KMnO4溶液加入步骤4得到的复合物混合液中，搅拌反应，单壁碳纳米管与KMnO4生成MnO2，反应方程式为4KMnO4+3C+H2O→4MnO2+K2CO3+2KHCO3，从而Ag2O负载在二氧化锰线上；步骤7：将步骤6反应后得到的混合液，离心、洗涤、干燥、研磨即得二氧化锰‑氧化银复合氧化物纳米线材料。
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