[发明专利]磁控溅射靶结构无效
| 申请号： | 201010289175.0 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102409301A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;林顺茂 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶结构，其包括靶材、磁体和基座，所述磁体固定于基座上，所述靶材可移动地设置于基座上与所述磁体相反的另一面。所述的磁控溅射靶结构采用可移动的靶材，使靶材表面的刻蚀区能够在靶面不同区域出现，从而增加了靶材的有效蚀刻区，提高了靶材的利用率。所述的磁控溅射靶结构简单，可操作性强，性能可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 结构 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射靶结构，其包括靶材、磁体和基座，所述磁体固定于基座上，其特征在于：所述靶材可移动地设置于基座上与所述磁体相反的另一面。
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