[发明专利]一种结构最简的GPTC过电流保护电路无效
| 申请号： | 201010288163.6 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102412549A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 付云鹏;刘蓓珍;胡方 | 申请（专利权）人： | 付云鹏;刘蓓珍;胡方 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种由半导体集成工艺制造的GPTC过电流保护电路，其结构仅由限流电阻R、PN结组合DE和N沟道增强型场效应管(N-MOS)T三者组成。其中，限流电阻R与PN结组合DE相串联，构成“温度采样”支路，并由限流电阻R设定保护温度。被保护的用户负载RL与N-MOS相串联，构成“负载控制”支路。正常工作时，N-MOS处于导通状态，为用户负载RL提供额定的功率输出。过电流发生时，N-MOS处于截止状态，实现对过电流的保护。该GPTC过电流保护电路的结构最简，保护特性优异：如导通电阻小，功耗小。温度灵敏度高，动态相应快。可克服传统PPTC过电流保护电路的种种弊端，高效地实现过电流保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 gptc 电流 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种由半导体集成工艺制造的GPTC过电流保护电路，其结构仅由限流电阻R、PN结组合DE和N沟道增强型场效应晶体管(N‑MOS)T三者组成。其特征是：限流电阻R与PN结组合DE相串联，构成“温度采样”支路，并由限流电阻R设定保护温度。被保护的用户负载RL与N‑MOS相串联，构成“负载控制”支路，为用户负载RL提供额定的功率输出。其中，N‑MOS的工作状态转换由温度采样信号设定与控制，用以实现对过电流的定温保护。
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