[发明专利]一种光纤对接装置无效
| 申请号： | 201010274555.7 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102401939A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 杜兵 | 申请（专利权）人： | 西安金和光学科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/38 | 分类号： | G02B6/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光纤对接装置，其主要是：包括一由记忆合金材料构成的管状结构，管状结构内孔的初始内径DT1略小于去除涂覆层的裸光纤外径，经低温扩张后内径DT2稍大于裸光纤外径，此时，光纤就可以自由在管状结构内孔中移动，当两光纤在管状结构内对接好后加热管状结构使之收缩并夹紧光纤接头，光纤也就自动对准，从而完成了光纤对接。本装置可以做成阵列管状结构来完成多根光纤的同时对接，从而大大提高了效率，降低了成本；该装置由于结构小巧耐用，可用于光电混合电路或纯光路板中的光路连接；该装置也可用于FTTH、带状光缆的接续以及光缆的应急抢修场合；选择双程记忆合金，经扩展后也可用于光纤测试中的自动对接环节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光纤 对接 装置 | ||
【主权项】：
一种光纤对接装置，其特征在于：包括一由记忆合金材料构成的管状结构，管状结构的两端是锥形的光纤导入口，管状结构内孔的初始内径DT1、低温扩张后内径DT2与光纤的关系是：[ 1 ‑ （1‑S）× K ]× DF ＜ DT1 ＜ DF (1)DF ＜ DT2 ＜ DF × ( 1+ S×K ) (2)DF 是对接时光纤的外径,K是由记忆合金材料构成的管状结构的形状记忆应变系数，S是选取的比例系数。
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