[发明专利]一种太阳能级硅晶体的热处理方法无效
| 申请号： | 201010271861.5 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101942701A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 李乔;马远 | 申请（专利权）人： | 浙江碧晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 312300 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能级硅晶体的热处理方法，将硅晶体置入真空加热炉内，在硅晶体的热处理过程中，将保护气体通入真空加热炉内并流经硅晶体表面，所述的保护气体为：a)含氢原子的气体；或b)含氢原子的气体与惰性气体的混合物。采用本发明方法对硅晶体进行热处理后，由于H对硅晶体内杂质及缺陷的钝化和吸杂等作用，硅晶体的少子寿命明显提高，同时，调节了硅晶体的径向电阻率的分布均匀性，使硅晶体的电阻率在晶体半径方向上更加均匀。本发明方法操作简单，易于工业化生产，并能明显提高产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 晶体 热处理 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能级硅晶体的热处理方法，将硅晶体置入真空加热炉内，在硅晶体的热处理过程中，将保护气体通入真空加热炉内并流经硅晶体表面，所述的保护气体为：a)含氢原子的气体；或b)含氢原子的气体与惰性气体的混合物。
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