[发明专利]准一维纳米结构热电材料、器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201010264529.6 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101969095A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 任山;李立强;叶志超;李义兵;洪澜 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L35/02 | 分类号： | H01L35/02;H01L35/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种准一维纳米结构热电材料、器件及其制备方法。该热电材料包括绝缘衬底、至少两层热电材料层和至少两层声子散射层；所述绝缘衬底的表面布满平行的周期排列的纳米沟槽，沟槽横切面呈现矩形起伏状结构；热电材料层覆盖在衬底的表面，横切面呈现矩形起伏状周期结构；声子散射层覆盖在热电材料层的表面，横切面呈现矩形起伏状周期结构；热电材料层和声子散射层以矩形起伏状周期结构交替覆盖。通过改变衬底沟槽大小和沉积时间可达到对纳米线横截面大小的控制，通过改变纳米线横截面积以及纳米线之间的界面可增大对沿纳米线方向传输的声子的散射，降低材料的热导率，提高材料的热电转化效率；制得的器件热电转化效率高，热稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 准一维 纳米 结构 热电 材料 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种准一维纳米结构热电材料，其特征在于：该热电材料包括绝缘衬底、至少两层热电材料层和至少两层声子散射层；所述绝缘衬底的表面布满平行的周期排列的纳米沟槽，沟槽横切面呈现矩形起伏状结构；热电材料层覆盖在衬底的表面，横切面呈现矩形起伏状周期结构；声子散射层覆盖在热电材料层的表面，横切面呈现矩形起伏状周期结构；热电材料层和绝缘层以矩形起伏状周期结构交替覆盖；所述纳米沟槽的宽度和深度为5nm～200nm；所述单层热电材料层的厚度为5nm～200nm；所述单层声子散射层的厚度为1nm～100nm；沟槽深度≥单层热电材料层的厚度。
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