[发明专利]应用于微型超级电容器的三维结构微电极及其制造方法无效
| 申请号： | 201010260868.7 | 申请日： | 2010-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101950686A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 王晓峰;尤政 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01G9/048 | 分类号： | H01G9/048 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MEMS技术的一种应用于微型超级电容器的三维结构微电极及其制造方法。该三维结构微电极是镍基片的一侧面上竖立镍微柱阵列，在镍微柱表面上涂覆功能薄膜，三维结构微电极的制造是在镍基片表面涂制一层环氧基负型化学放大的SU-8胶膜并进行光刻工艺处理，进而制备镍微柱阵列和进行功能薄膜电沉积处理，然后得到三维结构微电极。本发明能够有效提高微电极面积，改善功能薄膜电学特性，进而提高微电极的电荷存储能力，降低微电极阻抗。基于本发明中所描述微电极的微型超级电容器在传感器网络节点电源、引信电源等领域具有十分广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 微型 超级 电容器 三维 结构 微电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于微型超级电容器的三维结构微电极，其特征在于，该三维结构微电极是镍基片的一侧面上竖立镍微柱阵列，在镍微柱表面上涂覆功能薄膜。
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