[发明专利]超导磁化器有效
| 申请号： | 201010258352.9 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101997344A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | K·西瓦苏布拉马尼亚姆;P·L·詹森;E·W·斯陶特纳 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H02K1/00 | 分类号： | H02K1/00;H02K1/27 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 严志军;谭祐祥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及超导磁化器，具体而言，公开了一种用于磁化在机械构件(302)中放置就位的永久性磁体(308)的磁化器(304)。该磁化器包括至少一个主超导线圈(324)以及至少两个辅助线圈(326，328)，该至少一个主超导线圈配置成将第一类型的磁场通量形态投射至第一类型的远侧体积的至少一部分，该至少两个辅助线圈关于该至少一个主超导线圈对称地设置，并配置成将第二类型的磁场通量形态投射至第二类型的远侧体积的至少一部分。还公开了一种磁化在机械构件内就位的永久性磁体的方法(700)。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 磁化 | ||
【主权项】：
一种用于磁化在机械构件内放置就位的永久性磁体的磁化器，包括：至少一个主超导线圈，其配置成将第一类型的磁场通量形态投射至第一类型的远侧体积的至少一部分；以及至少两个辅助线圈，其关于所述至少一个主超导线圈对称地设置，并配置成将第二类型的磁场通量形态投射至第二类型的远侧体积的至少一部分。
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