[发明专利]多色调光掩模的制造方法及图案转印方法有效
申请号: | 201010243191.6 | 申请日: | 2010-07-28 |
公开(公告)号: | CN101989042A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 吉田光一郎 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20;G03F7/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;吕俊刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供多色调光掩模的制造方法及图案转印方法。该多色调光掩模具有包括透光部、遮光部以及使曝光光的一部分透射的半透光部的预定转印图案,针对形成在要被蚀刻加工的被转印体上的抗蚀剂膜,转印预定图案,使抗蚀剂膜构成为抗蚀剂图案,该抗蚀剂图案成为蚀刻加工中的掩模,其中,该制造方法包括如下步骤:掌握抗蚀剂膜所使用的抗蚀剂相对于曝光光的抗蚀剂特性;根据抗蚀剂特性来确定半透光部相对于曝光光的实效透射率;以及根据实效透射率至少对形成在透明基板上的遮光膜进行构图,由此形成半透光部。 | ||
搜索关键词: | 多色 调光 制造 方法 图案 | ||
【主权项】:
一种多色调光掩模的制造方法,该多色调光掩模具有包括透光部、遮光部以及使曝光光的一部分透射的半透光部的预定转印图案,针对形成在要被蚀刻加工的被转印体上的抗蚀剂膜,转印所述预定转印图案,使所述抗蚀剂膜构成为抗蚀剂图案,该抗蚀剂图案成为所述蚀刻加工中的掩模,其中,所述制造方法包括如下步骤:掌握所述抗蚀剂膜所使用的抗蚀剂相对于所述曝光光的抗蚀剂特性;根据所述抗蚀剂特性来确定所述半透光部相对于所述曝光光的实效透射率;以及根据所述实效透射率至少对形成在透明基板上的遮光膜进行构图,由此形成所述半透光部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010243191.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光刻设备和监控方法
- 下一篇:包括LED光源的液晶显示设备
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备