[发明专利]激光棒端接Cr4+：YAG的制备工艺

摘要

本发明公开了激光棒端接Cr4+:YAG的制备工艺，属于单晶生长技术领域。具体工艺包括：将按照常规方法加工好的激光棒Nd:YAG直接在Cr:YAG溶体中接晶，等径生长到一定尺寸时提出液面，降温冷却至室温，再研磨、抛光、镀膜，成为带调Q元件的激光棒。本发明避免了粘接法产生的各种缺陷，其晶格构造完全相同，物理机械性能整体保持了一致性，晶体调Q部分吸收值可根据不同要求由长度确定，增加了器件的适应性和灵活性。

主权项

激光棒端接Cr4+:YAG的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)按照常规加工方法定向、切割，滚圆加工好激光棒Nd:YAG；(2)将上述激光棒从顶部放入常规配比Cr:YAG的熔融液体中，激光棒边缘微熔后以常规单晶生长工艺生长出所需长度的Cr:YAG单晶，得到端接Cr:YAG激光棒；(3)激光棒埋入Al2O3粉中，在1350℃中保温24h退火后，得到端接Cr4+:YAG；(4)按所需透过率，经计算后进行切割、抛光、镀膜后成为具有调Q功能的输出短脉冲激光棒。