[发明专利]非晶磁芯微型磁通门传感器的制备方法无效
| 申请号： | 201010239122.8 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101885467A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 雷冲;周勇 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01R33/04 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微机电系统技术领域的非晶磁芯微型磁通门传感器的制备方法，在衬底的一面溅射Cr/Cu底层；旋涂正胶、烘干；得到激励线圈和感应线圈的底层线圈以及定位标记的光刻胶图形；电镀底层线圈和定位标记；旋涂正胶得到连接导体和定位标记的光刻胶图形；电镀连接导体和定位标记；去光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层；旋涂聚酰亚胺；旋涂聚酰亚胺，逐个粘贴预制非晶软磁合金磁芯，烘干；旋涂聚酰亚胺、烘干固化；抛光聚酰亚胺，直到连接导体暴露为止；溅射Cr/Cu底层；旋涂正胶、烘干；得到激励线圈和感应线圈的顶层线圈及电极的光刻胶图形；电镀底层线圈和电极；去光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层，得到的传感器灵敏度高、线性测量范围宽。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶磁芯 微型 磁通门 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶磁芯微型磁通门传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步、在衬底的一面溅射Cr/Cu底层，下面工艺均在此面上进行；第二步、旋涂正胶、烘干；曝光、显影，得到激励线圈和感应线圈的底层线圈以及定位标记的光刻胶图形；电镀底层线圈和定位标记；第三步、旋涂正胶、烘干；曝光、显影，得到连接导体和定位标记的光刻胶图形；电镀连接导体和定位标记；去光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层；第四步、旋涂聚酰亚胺、烘干固化；旋涂聚酰亚胺，逐个粘贴预制非晶软磁合金磁芯，烘干；第五步、旋涂聚酰亚胺、烘干固化；抛光聚酰亚胺，直到连接导体暴露为止；第六步、溅射Cr/Cu底层；旋涂正胶、烘干；曝光、显影，得到激励线圈和感应线圈的顶层线圈及电极的光刻胶图形；电镀底层线圈和电极；去光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010239122.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
