[发明专利]一种光刻胶的清洗液有效
| 申请号： | 201010234683.9 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102338994A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;孙广胜 | 申请（专利权）人： | 安集微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)氢氧化钾，(b)吡咯烷酮类溶剂，(c)季戊四醇，(d)醇胺，(e)间苯二酚。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于Cu(铜)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 清洗 | ||
【主权项】：
一种光刻胶清洗液，其包含：(a)氢氧化钾，(b)吡咯烷酮类溶剂，(c)季戊四醇，(d)醇胺，(e)间苯二酚。
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