[发明专利]去除硅衬底材料抛光后表面金属杂质的清洗方法

摘要

本发明涉及一种去除硅衬底材料抛光后表面金属杂质的清洗方法，该方法根据硅衬底材料抛光后晶片表面能量高、表面张力大、沾污金属离子严重等现象，提供一种含有螯合剂的电解氧化液进行清洗的方法。当碱性抛光刚完成后，使用该清洗液清洗硅片，可使金属离子形成可溶的螯合物；采用FA/OII螯合剂和金刚石膜电化学清洗相结合的方法，利用金属离子在阴极表面放电，使残余金属离子得以去除，清洗抛光后的硅晶片，可实现硅衬底材料表面的高洁净及完美的抛光表面。该方法具有操作简单、效果显著、成本低、不污染环境及不腐蚀设备等优点；可明显改善器件性能，提高成品率。

主权项

一种去除硅衬底材料抛光后表面金属杂质的清洗方法，其特征在于具体实施步骤如下：（1）按常规对抛光后硅晶片用去离子水冲洗，去除晶片表面残留的抛光液；（2）将晶片放入含有FA/OII型螯合剂1‑5wt%的电化学方法制备的具有氧化性的水溶液中浸泡，浸泡温度为室温，浸泡时间为5‑20分钟；所述氧化性的水溶液是指在5‑12V的电压下电解K2SO4溶液15‑60分钟所得的电解液；（3）配制0.1‑0.8mol/L的K2SO4 溶液于电化学清洗槽中，以金刚石膜为阳极，不锈钢为阴极，在10V电压下电解30分钟获得具有氧化性的电化学清洗液；   （4）将晶片放置于花篮上，浸入电化学清洗槽的清洗液中用电化学方法进行清洗；采用电化学清洗液为具有氧化性的含有浓度为0.1‑1mol/L的K2SO4电解液；所述电化学清洗方法指电压为1‑5V，采用温度为20‑70℃，时间5‑15分钟；利用金属离子在阴极表面放电，去除残余的金属离子；（5）将硅片取出，用去离子水对晶片进行冲洗，并在室温下通氮气吹干。