[发明专利]硅衬底材料抛光后表面清洗方法有效
| 申请号： | 201010231455.6 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101906638A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;孙鸣;杨金波;何彦刚 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C23G5/036 | 分类号： | C23G5/036 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨红 |
| 地址： | 300130*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅衬底材料抛光后表面清洗方法，其特征是：具体步骤如下，制备清洗液：按重量份数计(份)非离子型表面活性剂0.5-5、FA/OII型螯合剂0.1-5、FA/O II型复合阻蚀剂0.1-5、去离子水余量，搅拌均匀后制备成pH值为6.5-7.6水溶性表面清洗液；使用步骤(1)中得到的清洗液对碱性化学机械抛光后的硅衬底材料在4000Pa以下的低压力、400-5000ml/min的大流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少30秒-3分钟，以使硅衬底材料表面洁净。有益效果：CMP工序中的抛光工艺后立即使用清洗液对硅衬底材料进行低压、大流量清洗，可获得洁净、完美的抛光表面。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 材料 抛光 表面 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种硅衬底材料抛光后表面清洗方法，其特征是：具体步骤如下，(1)制备清洗液：按重量份数计(份)非离子型表面活性剂0.5 5、FA/OII型螯合剂0.1 5、FA/O II型复合阻蚀剂0.1 5、去离子水余量，搅拌均匀后制备成pH值为6.5 7.6水溶性表面清洗液；(2)使用步骤(1)中得到的清洗液对碱性化学机械抛光后的硅衬底材料在4000Pa以下的低压力、400 5000ml/min的大流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少30秒 3分钟，以使硅衬底材料表面洁净。
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