[发明专利]一种改良口腔CAD/CAM氧化锆全瓷材料半透性的工艺无效
申请号: | 201010220469.8 | 申请日: | 2010-06-24 |
公开(公告)号: | CN101926734A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 李伟;廖运茂;蒋丽;赵永旗 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | A61K6/027 | 分类号: | A61K6/027;C04B35/48;C04B35/622 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 李高峡 |
地址: | 610041 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种改良口腔CAD/CAM氧化锆全瓷材料半透性的工艺,它包括如下步骤:a、采用反向共沉淀法制备纳米氧化锆粉体;b、加入有机粘合剂造粒;c、在20-30MPa条件下,干压成型,再经200-250MPa静压处理,预成坯体;d、烧结:从室温烧结到200-800℃时通氧,烧结到1250℃,保温30分钟,然后升至最终烧结温度1400-1500℃,保温时间2h,升温速率为200℃/h,获得具有半透性的氧化锆全瓷材料。本发明还提供了该方法制备的氧化锆全瓷材料。本发明氧化锆全瓷材料可见光积分透射率可达17.50-18.01%,能够满足口腔临床全瓷修复体的美观需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 改良 口腔 cad cam 氧化锆 材料 半透性 工艺 | ||
【主权项】:
一种改良口腔CAD/CAM氧化锆全瓷材料半透性的工艺,它包括如下步骤:a、采用反向共沉淀法制备纳米氧化锆粉体;b、加入有机粘合剂造粒;c、在20 30Mpa条件下,干压成型,再经200 250MPa静压处理,预成坯体;d、烧结:从室温烧结到200 800℃时通氧,烧结到1250℃,保温30分钟,然后升至最终烧结温度1400 1550℃,保温时间2h,升温速率为200℃/h,获得具有半透性的氧化锆全瓷材料。
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